Robert Dennard:
En 1968, inventó la memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM). Dennard también estuvo entre los primeros en reconocer el enorme potencial de MOSFET de reducción de personal. La teoría de la escala que él y sus colegas formularon en 1974 postuló que los MOSFET de seguir funcionando como interruptores controlados por voltaje, mientras que todas las cifras clave de la calidad tales como la densidad de diseño, velocidad de operación, y mejorar la eficiencia energética siempre y dimensiones geométricas, tensiones, y las concentraciones de dopaje son consistentemente a escala para mantener el mismo campo eléctrico. Esta propiedad se basa la consecución de la Ley de Moore y la evolución de la microelectrónica en las últimas décadas.
